半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,卡扣热处理,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c,比热扩散掺杂的温度要低得多。
?3?去应力处理。去应力处理是消除钢在冷加工或焊接后的残余应力的热处理工艺一般加
热到300?350℃回火。对于不 含稳定化元素ti、nb的钢?加热温度不超过450t?以免析
出铬的碳化物而引起晶间腐蚀。对于---碳和合ti、nb不锈钢的冷加工件和焊接件?需在
500?950℃,加热 ?然后缓冷?消除应力?消除焊接应力取上限温度??可以减轻晶间腐蚀
倾向并提高钢的应力腐蚀抗力
离子渗入
又称辉光渗氮,是利用辉光放电原理进行的。把金属工件作为阴极放入通有含氮介质的负压容器中,通电后介质中的氮氢原子被电离,扭簧热处理,在阴阳极之间形成等离子区。在等离子区强电场作用下,氮和氢的正离子以高速向工件表面轰击。离子的高动能转变为热能,加热工件表面至所需温度。由于离子的轰击,工件表面产生原子溅射,因而得到净化,同时由于吸附和扩散作用,拉簧热处理,氮遂渗入工件表面。
与一般的气体渗氮相比,离子渗氮的特点是:可适当缩短渗氮周期;渗氮层脆性小;可节约能源和氨的消耗量;对不需要渗氮的部分可屏蔽起来,热处理,实现局部渗氮;离子轰击有净化表面作用,能去除工件表面钝化膜,可使不锈钢、耐热钢工件直接渗氮;渗层厚度和组织可以控制。
离子渗氮发展迅速,已用于机床丝杆、齿轮、模具等工件。
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