标准件热处理-热处理-万利鑫热处理

半导体芯片退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，标准件热处理，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c，比热扩散掺杂的温度要低得多。

退火（powerfulnesing）

既dna由单链复、变成双链组织的进程。源原本历相同的dna单链经退火后完全复原双链组织的进程，同源dna之间`dna和rna之间，退火后形成杂交分子。

加热使dna双螺旋解开，在一定的条件下，两条互补的单链依靠彼此的碱基配对重新形成双链dna的过程，亦即复热变性的dna单链在缓慢冷却过程中可以达到---的退火。退火的两条单链可以来自同一个双链的dna分子，也可以来自不同的dna分子。退火是逆转过程，它受温度、时间、dna浓度、dna顺序的复杂性等因素的影 响。如pcr反应中引物与模板dna的退火，---杂交中探针与被检dna的退火。