半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，扳手热处理，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c，比热扩散掺杂的温度要低得多。
正火主要用于钢铁工件。一般钢铁正火与退火相似，但冷却速度稍大，组织较细。有些临界冷却速度(见淬火)很小的钢，在空气中冷却就可以使奥氏体转变为马氏体，这种处理不属于正火性质，而称为空冷淬火。与此相反，一些用临界冷却速度较大的钢制作的大截面工件，即使在水中淬火也不能得到马氏体，淬火的效果接近正火。钢正火后的硬度比退火高。正火时不必像退火那样使工件随炉冷却，占用炉子时间短，生产，所以在生产中一般尽可能用正火代替退火。对于含碳量低于0.25%的低碳钢，正火后达到的硬度适中，比退火更便于切削加工，一般均采用正火为切削加工作准备。对含碳量为0.25~0.5%的中碳钢，正火后也可以满足切削加工的要求。对于用这类钢制作的轻载荷零件，正火还可以作为终热处理。高碳工具钢和轴承钢正火是为了消除组织中的网状碳化物，为球化退火作组织准备。
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316(0cr17ni12mo2)不锈钢零件热处理工艺
要达到的目的：
1，套齿齿轮热处理，减小材料的弹性滞后和弹性后效，使得材料在升温（升压）和降温）过程中形变状态趋于稳定；即就是在每一次升温（升压）过程的每个点，应变值能达到稳定，降温（时也是如此。能---升、）时每个点应变值都是一致的。
2，消除机械加工和热处理过程中所产生的应力； 工艺过程（参考下图）
如果先在真空炉中高温1010～1150℃环境下，保温3min进行固溶处理，齿轮架热处理，进行奥氏体晶粒细化，之后，在430℃～480℃环境中保温1.5h进行回火处理。
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