半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，锄具调质，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c，比热扩散掺杂的温度要低得多。
直接淬火 渗碳后直接淬火，具有生产、成本低、氧化脱碳等优点，刀具调质，但 是由于渗碳温度高，奥氏体晶粒长大， 淬火后马氏体较粗， 残余奥氏体也较多， 所以耐磨 性和韧性较差。只适用于本质细晶粒钢和耐磨性要求不高的或承载低的零件。 (2) 一次淬火 是在渗碳缓慢冷却之后， 重新加热到临界温度以上保温后淬火。与 直接淬火相比，一次淬火可使钢的组织得到一定程度的细化。心部组织要求高时，一次淬 火的加热温度略高于ac3。对于受载不大但表面有较高耐磨性和较高硬度性能要求的零件，调质， 淬火温度应选用ac1 以上30℃～50℃，使表层晶粒细化， 而心部组织无大的---， 性能略 差一些。 (3) 二次淬火 对于力学性能要求---或本质粗晶粒钢， 应采用二次淬火。 淬火目的是---心部组织，加热温度为ac3 以上30℃～50℃。第二次淬火目的是细化表 层组织， 获得细马氏体和均匀分布的粒状二次渗碳体，加热温度为ac1 以上30℃～50℃。
<热加工工艺>主要---铸造、锻压、焊接、金属材料及热处理等领域的试验研究和技术报告，介绍具有较大推广应用价值的---经验和实用热加工技术信息。本刊在---具有较大影响，是金属学及金属工艺类中文期刊，科技统计与分析用刊，常年被科学引文数据库、机械工程文摘、有色金属文献数据库、美国工程信息公司ei page one数据库等10余种---检索系统收录。
金属热处理是机械制造中的重要工艺之一，铝合金回火热处理，与其他加工工艺相比，城阳回火热处理，锻件调质，热处理一般不改变工件的形状和整体的化学成分，而是通过改变工件内部的显微组织，或改变工件表面的化学成分，赋予或---工件的使用性能。其特点是---工件的内在，而这一般不是肉眼所能看到的。
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