球化退火的具体工艺
(图4)有:普通(缓冷)球化退火(图4a),缓冷适用于多数钢种,尤其是装炉量大时,操作比较方便,但生产周期长;等温球化退火(图4b),适用于多数钢种,---是难于球化的钢以及球化要求高的钢(如滚动轴承钢);其生产周期比普通球化退火短,平度调质,不过需要有能够控制共析转变前冷却速率的炉子;周期球化退火(图4c),适用于原始组织为片层状珠光体组织的钢,其生产周期也比普通球化退火短,不过在设备装炉量大的条件下,很难按控制要求改变温度,故在生产中未广泛采用;低温球化退火(图4d),适用于经过冷形变加工的钢以及淬火硬化过的钢(后者通常称为高温软化回火);形变球化退火,莱西调质,形变加工对球化有加速作用,将形变加工与球化结合起来,可缩短球化时间。它适用于冷、热形变成形的钢件和钢材(如带材)(图4e是在acm或ac3与ac1之间进行短时间、大形变量的热形变加工者;图4f是在常温先予以形变加工者;图4g是利用锻造余热进行球化者)。
?2?加入合金元素使钢的表面形成一层稳定的、完整的与钢的基体结合牢固的纯化
膜。从而提高钢的耐化学腐蚀能力。如在钢中加入 cr,调质,si.al等合金元素 ?使钢的表层形
成致密的cr2o3,sio2,al2o3等氧化膜 ?就可提高钢的耐蚀性。
?3?加入合金元素使钢在常温时能以单相状态存在?减少微电池数目从而提高钢的
耐蚀性。如加入足够数量的cr或cr?ni,使钢在室温下获得单相铁 素体或单相奥氏体。
?4?加入mo、cu等元素?提高钢抗非氧化性酸腐蚀的能力。
?5?加入ti?nb等元素?消除cr的晶间偏析?从而减轻了晶问腐蚀倾向。
?6?加入mn、n等元素?代替部分ni获得单相奥氏体组织?同时能---提高铬不锈
钢在有机酸中的耐蚀性。
半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,李沧调质,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c,比热扩散掺杂的温度要低得多。
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