c.三段式渗氮 三段式渗氮工艺曲线如图2-44所示。
它是在二段式渗氮基础上发展起来的。这种工艺是将第二阶段的温度适当提高，以加快渗氮过程，同时增加较低温度的第三阶段，以弥补因第二阶段氮的扩散快而使表面氮浓度过低，---表面含氮量以提高表面硬度。
三段式渗氮能进一步提高渗氮速度，但硬度比一般渗氮工艺低，脆性、变形等比一般渗氮工艺略大。
42crmo热处理
1.退火annealing 760±10℃退火，炉冷至400℃空冷。 hb220-230
2.正火normalize no.4 860±10℃正火，出炉空冷。
3.调质quenching+tempering no.5 840±10℃淬水或油（视产品型状复杂程度），680-700度回火。 hb<217
半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，正火，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，李沧正火，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，城阳正火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c，比热扩散掺杂的温度要低得多。
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