半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，崂山热处理，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c，比热扩散掺杂的温度要低得多。
1.退火
操作方法:将钢件加热到ac3+30~50度或ac1+30~50度或ac1以下的温度(可以查阅有关资料)后，一般随炉温缓慢冷却。
目的:1.降低硬度，提高塑性，---切削加工与压力加工性能;2.细化晶粒，---力学性能，为下一步工序做准备;3.消除冷、热加工所产生的内应力。
应用要点:1.适用于合金结构钢、碳素工具钢、合金工具钢、高速钢的锻件、焊接件以及供应状态不合格的原材料;2.一般在毛坯状态进行退火 。
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高锰钢热处理工艺：
高锰钢铸件入炉热处理前要进行清理，主要清理掉披缝和粘砂，披缝较薄，热处理加热时应脱碳，入水后变成马氏体，马氏体相变体积膨胀，可能会使铸件本体在拉应力下产生裂纹，折弯六角栓热处理，甚至报废。经研究，高温氧化性气氛条件下，高锰钢脱碳层表面碳含量可降至叫(c)o．1％～0．2％，---达几个毫米。
---粘砂将降低高锰钢件本体人水后的冷却速度，造成晶界碳化物的重新析出，降低热处理。
铸件装炉时要考虑铸件在炉内能均匀受热，尤其是火焰炉，要考虑炉气的流向，使铸件均匀受热。装炉时要防止铸件变形。一般近火嘴处，半圆头铆钉热处理，顶部装大件，平头销子热处理，厚壁件，中心部分装中小件。
所给出的工艺在保温区都给出1h均热时间。这是对火焰加热炉而言，即仪表已指示到保温温度，而铸件还未达到顶温，所以给出均热时间。对用电炉加热，可取消1h均热。电加热炉温较均，铸件可达到同步升温。
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