城阳热处理-万利鑫热处理-平头内六角热处理

半导体芯片退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，大扁内六角热处理，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，城阳热处理，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，平头内六角热处理，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c，比热扩散掺杂的温度要低得多。

一般以提高金属的耐磨性为主要目的，因此需要获得高的表面硬度。它适用于38crmoal等渗氮钢。渗氮后工件表面硬度可达hv850~1200。渗氮温度低，工件畸变小，可用于精度要求高、又有耐磨要求的零件，如镗床镗杆和主轴、磨床主轴、气缸套筒等。但由于渗氮层较薄，不适于承受重载的耐磨零件。

气体渗氮可采用一般渗氮法(即等温渗氮)或多段(二段、三段)渗氮法。前者是在整个渗氮过程中渗氮温度和氨气分解率保持不变。温度一般在480~520℃之间，氨气分解率为15~30%，保温时间近80小时。这种工艺适用于渗层浅、畸变要求严、硬度要求高的零件，马车栓热处理，但处理时间过长。多段渗氮是在整个渗氮过程中按不同阶段分别采用不同温度、不同氨分解率、不同时间进行渗氮和扩散。整个渗氮时间可以缩短到近50小时，能获得较深的渗层，但这样渗氮温度较高，畸变较大。