半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，城阳热处理，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，内六角热处理，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，六角栓热处理，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800c，比热扩散掺杂的温度要低得多。
cr 能提高钢的电极电位?但不是呈线---。实验证明钢的电极电位随合金元素的
增加?存在着一个量变到---的关系?遵循1/8规律。当cr含量达到一定值时即1?8原子
?l?8、2?8、3/8……?时 ?电极电位将有一个突变。因此?几乎所有的不锈钢中?cr
含量均在12.%5?原子?以上?即11.7%??以上。
42crmo热处理
1.退火annealing 760±10℃退火，炉冷至400℃空冷。 hb220-230
2.正火normalize no.4 860±10℃正火，出炉空冷。
3.调质quenching+tempering no.5 840±10℃淬水或油（视产品型状复杂程度），680-700度回火。 hb<217
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